商品名稱:STM32F407ZET6
數據手冊:STM32F407ZET6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:144-LQFP
貨期:全新原裝
庫存數量:5000 件
32位微控制器IC STM32F407ZET6 ARM Cortex-M4 MCU 512KB Flash LQFP144封裝
STM32F407ZET6的產品介紹
STM32F407ZET6基于高性能Arm? Cortex?-M4 32位RISC內核,工作頻率高達168 MHz。Cortex-M4內核具有單精度浮點單元(FPU),支持所有Arm單精度數據處理指令和數據類型。它還實現了一整套DSP指令和內存保護單元(MPU),增強了應用的安全性。
STM32F407ZET6集成了高速嵌入式存儲器(閃存高達1 Mbyte,SRAM高達192 KB)、高達4 KB的備份SRAM,以及連接到兩條APB總線、三條AHB總線和一個32位多AHB總線矩陣的大量增強型I/O和外設。
STM32F407ZET6的特點
3×12位、2.4 MSPS A/D轉換器:在三重交錯模式下高達24通道和7.2 MSPS
2×12位D/A轉換器
通用DMA:帶有FIFO和突發(fā)支持的16流DMA控制器
多達17個定時器:多達12個16位和2個32位定時器,頻率高達168 MHz,每個定時器有多達4個IC/OC/PWM或脈沖計數器和正交(增量)編碼器輸入調試模式
串行線調試(SWD)和JTAG接口
Cortex-M4嵌入式跟蹤宏單元?。
多達140個具有中斷能力的I/O端口
多達136個快速I/O,高達84 MHz
多達138個5V耐壓I/Os
多達15個通信接口
多達3個I2C接口(SMBus/PMBus)
多達4個USART/2個UART(10.5 Mbit/s,ISO 7816接口,LIN,IrDA,調制解調器控制)。
多達3個SPI(42Mbit/s),2個帶有復用的全雙工I2S,通過內部音頻PLL或外部時鐘達到音頻級精度
2個CAN接口(2.0B有效)。
型號
品牌
封裝
數量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯系我公司并給出對應的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答:可以通過網站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數特性和緊密的參數分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統。其正的溫度系數VCE(sat)和嚴格的參數分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間:9:00-18:00
聯系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: