商品名稱:SPC584C70E1EPI0
數(shù)據(jù)手冊(cè):SPC584C70E1EPI0.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:QFP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
SPC584Cx微控制器是取代SPC564Cx系列的新器件家族中的第一個(gè)。SPC584Cx建立在SPC564Cx系列的基礎(chǔ)上,同時(shí)引入了新的功能,加上更高的吞吐量,使每個(gè)功能的成本大幅降低,功率和性能顯著提高(每毫瓦M(jìn)IPS)。在SPC584Cx設(shè)備上,有兩個(gè)處理器內(nèi)核e200z420和一個(gè)嵌入硬件安全模塊的e200z0內(nèi)核。
所有特征
符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)
高性能的e200z420n3雙核
32位電源架構(gòu)技術(shù)CPU
核心頻率高達(dá) 180 MHz
可變長(zhǎng)度編碼(VLE)
4224 KB(4096 KB代碼閃存+128 KB數(shù)據(jù)閃存)片上閃存:支持編程和擦除操作中的讀取,以及允許EEPROM仿真的多個(gè)塊
176 KB HSM專用閃存(144 KB代碼+32 KB數(shù)據(jù))。
384 KB片上通用SRAM(除了128 KB核心本地?cái)?shù)據(jù)RAM:每個(gè)CPU中包括64 KB)。
多通道直接內(nèi)存訪問(wèn)控制器(eDMA),有64個(gè)通道
1個(gè)中斷控制器(INTC)
全面的新一代ASIL-B安全概念
ISO 26262的ASIL-B
用于收集和反應(yīng)故障通知的FCCU
存儲(chǔ)器錯(cuò)誤管理單元(MEMU)用于收集和報(bào)告存儲(chǔ)器中的錯(cuò)誤事件
循環(huán)冗余檢查(CRC)單元
交叉條開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu),用于從多個(gè)總線主站同時(shí)訪問(wèn)外設(shè)、閃存或RAM,并帶有端到端的ECC
體交叉觸發(fā)單元(BCTU)
從任何eMIOS通道觸發(fā)ADC轉(zhuǎn)換
從最多2個(gè)專用PIT_RTI觸發(fā)ADC轉(zhuǎn)換
增強(qiáng)的模塊化IO子系統(tǒng)(eMIOS):多達(dá)64個(gè)具有16位計(jì)數(shù)器分辨率的定時(shí)I/O通道
增強(qiáng)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器系統(tǒng),具有:
3個(gè)獨(dú)立的快速12位SAR模擬轉(zhuǎn)換器
1個(gè)監(jiān)督員12位SAR模擬轉(zhuǎn)換器
1個(gè)支持STDBY模式的10位SAR模擬轉(zhuǎn)換器
通信接口
18個(gè)LINFlexD模塊
8個(gè)去串行外設(shè)接口(DSPI)模塊
8個(gè)MCAN接口,具有高級(jí)共享內(nèi)存方案和ISO CAN-FD支持
雙通道FlexRay控制器
1個(gè)以太網(wǎng)控制器10/100 Mbps,符合IEEE 802.3-2008標(biāo)準(zhǔn)
低功耗能力
多樣化的低功率模式
帶有RTC的超低功率待機(jī)
智能喚醒裝置,用于接觸監(jiān)測(cè)
快速喚醒方案
雙鎖相環(huán),為外設(shè)提供穩(wěn)定的時(shí)鐘域,為計(jì)算外殼提供調(diào)頻調(diào)制域
符合IEEE-ISTO 5001-2003標(biāo)準(zhǔn)的Nexus開(kāi)發(fā)接口(NDI),部分支持2010標(biāo)準(zhǔn)
啟動(dòng)輔助閃存(BAF)支持通過(guò)異步CAN或LIN/UART使用串行啟動(dòng)程序進(jìn)行工廠編程
結(jié)點(diǎn)溫度范圍 -40 °C 至 150 °C
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(20x20)
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(20x20)
Renesas
100-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 100-LFQFP(14x14)
Renesas
100-LQFP
1000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 100-LFQFP(14x14)
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(16x16)
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無(wú)尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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