商品名稱:NCP4307FBSNT1G
數(shù)據(jù)手冊:NCP4307FBSNT1G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:SOT-23-6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NCP4307FBSNT1G 是一款高性能驅動器,專門用于控制開關模式電源中的同步整流 MOSFET。憑借其高性能驅動器和多功能性,它可用于各種拓撲結構,如 DCM 或 CCM 反激式、準諧振反激式和正激式。
功能特點
用于反激式應用的 CCM、DCM 和 QR 中同步整流器的自足式控制
精確的真正次級零電流檢測
從電流檢測輸入到驅動器的關斷延遲通常為 15 ns
堅固的電流檢測引腳(高達 200 V)
高壓側操作或低 VOUT 時的自供電能力
超快關斷觸發(fā)接口/禁用輸入(10.5 ns)
帶反向電流保護的內部最短導通時間
具有振鈴檢測功能的內部最短關斷時間
改進的穩(wěn)健自同步能力
7 A / 2 A 峰值電流灌入/源驅動能力
工作電壓范圍高達 VCC = 35 V
自動輕載禁用模式
高壓側工作能力,無需外部元件或輔助繞組
兩個 VCC 引腳選項允許在寬 VOUT 范圍應用中優(yōu)化功耗
低啟動和禁用電流消耗
TSOP6 封裝
這些器件均為無鉛器件
應用
筆記本適配器
高功率密度 AC/DC 電源(手機充電器)
液晶電視
所有具有高能效要求的 SMPS
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結構。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關應用中提供卓越的性能,具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關損耗,優(yōu)化了在汽車應用中硬開關和軟開關拓撲的性能。技術…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結構。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應用于電力電子設備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關和導通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應用中實現(xiàn)高效率運行。技術規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。電話咨詢:86-755-83294757
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