商品名稱：STM32C011F6P7
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
STM32C011F6P7.pdf
品牌：ST
年份：23+
封裝：20-TSSOP
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
STM32C011F6P7 主流微控制器基于高性能的 Arm? Cortex?-M0+ 32 位 RISC 內(nèi)核，工作頻率高達(dá) 48 MHz。
產(chǎn)品屬性
核心處理器： ARM? Cortex?-M0+
內(nèi)核規(guī)格： 32-位
速度： 48MHz
連接能力： I2C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART
外設(shè)： 欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，溫度傳感器，WDT
I/O 數(shù): 18
程序存儲(chǔ)容量： 32KB（32K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型：閃存
RAM 大小： 6K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) ：2V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 15x12b SAR
振蕩器類型： 外部，內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型： 表面貼裝型
封裝/外殼： 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝： 20-TSSOP
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
UFQFPN-20
2000
ARM? Cortex?-M0+ STM32L0 微控制器 IC 32 位單核 32MHz 16KB（16K x 8） 閃存 20-UFQFPN（3x3）
ST
LQFP32
10000
ARM? Cortex?-M4 STM32F3 微控制器 IC 32 位單核 72MHz 64KB（64K x 8） 閃存 32-LQFP（7x7）
ST
LQFP-100
2500
ARM? Cortex?-M4 STM32F4 微控制器 IC 32 位單核 168MHz 1MB（1M x 8） 閃存 100-LQFP（14x14）
ST
LQFP48
3000
ARM? Cortex?-M0 STM32F0 微控制器 IC 32 位單核 48MHz 256KB（256K x 8） 閃存 48-LQFP（7x7）
INFINEON
100-TQFP
1000
ARM? Cortex?-M0+ PSOC? 4 CY8C4100S 微控制器 IC 32-位 48MHz 384KB（384K x 8） 閃存
TI
LQFP-144
1000
Hercules? TMS570 ARM? Cortex?-R 微控制器 IC 16/32-位 160MHz 3MB（3M x 8） 閃存 144-LQFP（20x20）
TI
NFBGA-337
1000
Hercules? TMS570 ARM? Cortex?-R 微控制器 IC 16/32-位 180MHz 3MB（3M x 8） 閃存 337-NFBGA（16x16）
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意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%；營(yíng)業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT，其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡，其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外，它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…
STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件，屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷，以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C，具有無尾關(guān)斷特性，飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V（典型值），并且參數(shù)分布緊…
STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件，其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā)，旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷，以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下：技術(shù)規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電流…
STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT，具有低損耗和短路功能，特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格：IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…
STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT，因其低損耗和短路功能，STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下：技術(shù)規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (I…
STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)，旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡，從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下：技術(shù)規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電…電話咨詢：86-755-83294757
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