商品名稱:STM32WB35CEU7A
數(shù)據(jù)手冊(cè):STM32WB35CEU7A.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:UFQFPN-48
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1320 件
STM32WB35CEU7A多協(xié)議無(wú)線和超低功率設(shè)備嵌入了一個(gè)功能強(qiáng)大的超低功率無(wú)線電,符合藍(lán)牙?低功耗SIG規(guī)范5.3和IEEE 802.15.4-2011。它們包含一個(gè)專用的Arm?Cortex?-M0+,用于執(zhí)行所有實(shí)時(shí)低層操作。
這些設(shè)備設(shè)計(jì)為極低功耗,基于高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC內(nèi)核,工作頻率高達(dá)64 MHz。該核心采用浮點(diǎn)單元(FPU)單精度,支持所有Arm?單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。它還實(shí)現(xiàn)了一整套DSP指令和一個(gè)增強(qiáng)應(yīng)用程序安全性的內(nèi)存保護(hù)單元(MPU)。
產(chǎn)品規(guī)格
類型 TxRx + MCU
射頻系列/標(biāo)準(zhǔn) 802.15.4,藍(lán)牙
協(xié)議 藍(lán)牙v5.3,Zigbee?
調(diào)制 -
頻率 2.4GHz
數(shù)據(jù)速率(最大值) 2Mbps
功率 - 輸出 6dBm
靈敏度 -100dBm
存儲(chǔ)容量 512kB 閃存,256kB SRAM
串行接口 ADC,GPIO,I2C,I2S,IrDA,JTAG,PWM,SPI,UART,USART
GPIO 30
電壓 - 供電 1.71V ~ 3.6V
電流 - 接收 4.5mA ~ 9.2mA
電流 - 傳輸 4.5mA ~ 12.7mA
工作溫度 -40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 48-UFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝 48-UFQFPN(7x7)
應(yīng)用
物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應(yīng)用
健身與醫(yī)療
家居安防和自動(dòng)化
智能照明
無(wú)線音頻
可穿戴設(shè)備
車隊(duì)維護(hù)
工業(yè)設(shè)備
信標(biāo)
資產(chǎn)跟蹤
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無(wú)尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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