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這款 N 溝道功率 MOSFET 采用 STripFET? F7 技術(shù)，具有增強型溝槽柵極結(jié)構(gòu)，導通電阻極低，同時還能降低內(nèi)部電容和柵極電荷，從而實現(xiàn)更快、更高效的開關(guān)。

STL165N10F8AG的產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PowerFLAT-4

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 107 A

Rds On-漏源導通電阻: 6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V

Qg-柵極電荷: 72.5 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 136 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 20 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 38 ns

工廠包裝數(shù)量:  3000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 48 ns

典型接通延遲時間: 33 ns

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