商品名稱:SPC58NH92E7HMI0X
數(shù)據(jù)手冊:SPC58NH92E7HMI0X.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:LQFP-176
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
SPC58 N線路性能微控制器 采用Power Architecture?技術,設計用于需符合最嚴格安全標準以及實時性能至關重要的任務關鍵型汽車應用。 SPC58 N線路性能MCU嵌入了3個內核(每個內核的頻率為200MHz)和200MHz通用定時器IP模塊 (GTM),專門設計用于需要高性能、更快信號處理速度以及CPU負載最低至零的應用。
SPC58 N線路MCU系列設計用于滿足最高的ASIL-D安全水平,非常適合用于高級動力傳動系統(tǒng)應用、混合動力汽車 (HEV) 和電動汽車 (EV) 電機驅動器、電動助力轉向系統(tǒng)、主動懸架應用、防抱制動以及高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)。
SPC58 N線路MCU具有出色的性能,具有多達3個內核和高達6MB嵌入式閃存以及獨立的SAR和Σ-Δ模數(shù)轉換器,可確保高速度、高精度、高分辨率傳感。這些器件支持高工作溫度,通過豐富的通信接口(包括以太網(wǎng)、Flexray、CAN FD、LIN和SENT)確保增強的連接能力。
特性
符合AEC-Q100標準
32位Power Architecture VLE兼容CPU內核
五個增強型主e200z4256n3內核,雙指令執(zhí)行,兩個以鎖步方式配對
浮點,端到端糾錯
6576KB(6288KB代碼閃存+ 288KB數(shù)據(jù)閃存)片上閃存
支持在編程和擦除操作期間進行讀取,并支持允許EEPROM仿真的多個塊
支持在兩個代碼閃存之間讀取時進行讀取
128KB片上通用SRAM(加上CPU中包含的384KB)
96通道直接內存訪問控制器 (eDMA)
全面的新一代ASIL-D安全理念:
ISO 26262中的ASIL-D
用于收集和響應故障通知的FCCU
內存錯誤管理單元 (MEMU),用于收集和報告內存中的錯誤事件
循環(huán)冗余校驗 (CRC) 單元
雙通道FlexRay控制器
硬件安全模塊 (HSM)
GTM344 - 通用定時器模塊
智能復合定時器模塊
144個通道(48路輸入和96路輸出)
5個可編程細粒度多螺紋磁芯
61KB專用RAM
24位寬通道
增強型模數(shù)轉換器系統(tǒng),設有如下器件:
1個監(jiān)控器12位SAR模擬轉換器
2個獨立的10位SAR模擬轉換器
4個獨立的快速12位SAR模擬轉換器
6個獨立16位Σ-Δ型模擬轉換器,帶可編程抽取濾波器
SAR ADC隊列數(shù)字接口,用于單個通道訂購和命令排序
通信接口
7個LINFlexD模塊
8個解串串行外設接口 (DSPI) 模塊
7個模塊化控制器局域網(wǎng) (MCAN) 模塊和1個時間觸發(fā)控制器局域網(wǎng) (M-TTCAN),均支持靈活的數(shù)據(jù)速率 (ISO CAN-FD)
一個以太網(wǎng)控制器10/100Mbps,符合IEEE 3-2008標準
靈活的電源選項
外部穩(wěn)壓器(1.2V內核,3.3V至5V IO)
單個內部SMPS穩(wěn)壓器
Nexus開發(fā)接口 (NDI),符合IEEEISTO 5001-2003標準,部分支持2010標準
引導輔助閃存 (BAF) 通過異步CAN或LIN/UART并借助串行引導加載來支持工廠編程
結溫范圍:-40°C至+165°C
封裝選項:eLQFP-176 (24.0mm x 24.0mm x 1.4mm)
應用
高級動力傳動應用
混合動力汽車 (HEV) 和電動汽車 (EV) 電機驅動器
電動轉向系統(tǒng)
主動懸架應用
防抱死制動
高級輔助駕駛系統(tǒng) (ADAS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(20x20)
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(20x20)
Renesas
100-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 100-LFQFP(14x14)
Renesas
100-LQFP
1000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 100-LFQFP(14x14)
Renesas
144-LQFP
2000
RH850G3M RH850/P1M 微控制器 IC 32 位單核 160MHz 2MB(2M x 8) 閃存 144-LFQFP(16x16)
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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