IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實現低開關損耗。其特點和技術規(guī)格如下：
特點
經過優(yōu)化用于低開關損耗
正熱系數VCE(sat)
國際標準封裝
大電流處理能力
功率密度大
柵極驅動要求低
反向并聯sonic二極管
IXYK85N120C4H1具有以下主要規(guī)格：
配置：Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1.2 kV
集電極—射極飽和電壓：2 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：- 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流：220 A
Pd-功率耗散：1.15 kW
最小工作溫度：- 55 C
最大工作溫度：+ 175 C
封裝 / 箱體：TO-264-3
安裝風格：Through Hole
集電極最大連續(xù)電流 Ic：220 A
柵極—射極漏泄電流：100 nA
產品類型：IGBT Transistors
IXYK85N120C4H1晶體管非常適合用于功率逆變器、電機驅動、功率因數校正 (PFC) 電路和電池充電器應用。
型號
品牌
封裝
數量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域，產品技術特點為高壓、高功率，涵蓋了…
IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達150 kHz的開關能力，電流范圍為66A。高開關速度和低傳導損耗的結合為電源設計人員提供了一種新的高價值開關應用選擇。該產品具有以下主要參數：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值…
IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），主要用于10-30kHz的開關應用。該產品具有以下主要參數：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm)：440 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.8V…
IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實現低開關損耗。該產品具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：溝道電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：112 A電…
IXYN180N65A5
IXYN180N65A5模塊具有650V額定電壓、180A電流范圍以及低柵極電荷。該產品優(yōu)化用于需要0至5kHz開關頻率的應用，具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：-配置：單路電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：340 A功率 - 最大值：940 W不同 Vge、Ic 時 Vce…
IXYK220N65A5
IXYK220N65A5是一款IGBT（絕緣柵雙極晶體管），屬于Gen5 XPT?系列產品?。該產品具有以下主要規(guī)格：IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：510 A電流 - 集電極脈沖 (Icm)：1.18 kA不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）…
IXA37IF1200HJ
IXA37IF1200HJ器件采用先進的GenX3 IGBT工藝和極輕穿通(XPT)設計平臺制造，具有高電流處理能力、高速開關能力、低總能量損耗和低電流下降時間。該款IGBT器件具有正的集電極-發(fā)射極電壓溫度系數，使得設計人員可以并聯使用多個器件來滿足高電流要求。其優(yōu)勢和技術規(guī)格如下…電話咨詢：86-755-83294757
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