商品名稱:FGD3325G2-F085V
數據手冊:FGD3325G2-F085V.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數量:5000 件
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FGD3325G2-F085V EcoSPARK?2 330mJ、250V、N 溝道點火 IGBT。
產品規(guī)格
系列: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK?
IGBT 類型: -
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 250 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 41 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值): 1.25V @ 4V,6A
功率 - 最大值: 150 W
開關能量: -
輸入類型: 邏輯
柵極電荷: 21 nC
25°C 時 Td(開/關)值: 800ns/5.1μs
測試條件: 5V,1 千歐
反向恢復時間 (trr): 1.2 μs
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
供應商器件封裝: TO-252AA
基本產品編號: FGD3325
應用
汽車點火線圈驅動電路
插頭線圈應用
型號
品牌
封裝
數量
描述
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UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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