第五代高速系列 - IKW75N65EH5 - 高速 650 V 硬開關 IGBT TRENCHSTOP? 5 與 RAPID 1 快速軟反并聯(lián)二極管共同封裝在 TO-247 封裝中，被定義為 “同類最佳 ”IGBT。描述：IKW75N65EH5是一款 650 V、75 A IGBT，采用快速軟反并聯(lián)二極管，TO-247 封裝。它具有開關損耗低、效…
第五代高速系列 - IKW75N65EH5 - 高速 650 V 硬開關 IGBT TRENCHSTOP? 5 與 RAPID 1 快速軟反并聯(lián)二極管共同封裝在 TO-247 封裝中，被定義為 “同類最佳 ”IGBT。
描述：
IKW75N65EH5是一款 650 V、75 A IGBT，采用快速軟反并聯(lián)二極管，TO-247 封裝。它具有開關損耗低、效率高和溫度穩(wěn)定性好的特點，適用于中高頻變頻器、太陽能電池板和其他應用。
特點：
650 V 突破性電壓
與同類最佳的高速 3 系列相比
Qg 降低 2.5 倍
開關損耗降低 2 倍
VCEsat 降低 200mV
與快速 Si- 二極管技術共同封裝
低 COES/EOSS
溫和的正溫度系數(shù) VCEsat
Vf 的溫度穩(wěn)定性
規(guī)格：
系列： TrenchStop?
包裝： 管件
零件狀態(tài)： 在售
IGBT 類型： 溝道
電壓 - 集射極擊穿（最大值）： 650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）： 90 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)： 300 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）： 2.1V @ 15V，75A
功率 - 最大值：395 W
開關能量： 2.3mJ（導通），900μJ（關斷）
輸入類型： 標準
柵極電荷： 160 nC
25°C 時 Td（開/關）值： 28ns/174ns
測試條件： 400V，75A，8 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)： 92 ns
工作溫度： -40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型： 通孔
封裝/外殼： TO-247-3
供應商器件封裝： PG-TO247-3
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